2.3.1 电容的参数以及影响

电容最基本的公式就是充放电公式：Q=CU，式中，Q是电容存储的电荷量（C），C是电容的容值（F），U是电容两端的电压（V）。电容存储的电荷量Q=It，式中，I是流入电容的电流（A），t是充电时间（s）。

在ATE的测试电路中，如果使用电容滤波，那么必须考虑电容的充电和放电时间。比如电容容量为10μF，电压需要从0V充电到5V，采用的电流档位为10mA，那么在电容充电时刻，相当于恒流向电容充电。这时，t=C·U/I=10μF×5V/10mA=5ms，也就是需要至少5ms的时间，电容两端的电压才能达到设置值。在IC测试中，在设置了测试条件之后，通常需要一段稳定时间，延时之后才能执行测量。这些延时时间除了IC自身的响应时间外，其他大多数情况下，与外部电路的电容的充放电时间有关。建议使用外部示波器或者ATE自带的示波器查看确认开始测量之前IC是否工作在稳定的状态，避免测试到错误的结果或者不稳定的结果。

电容的精度通常要求都不高，但是某些IC，比如常见的开关电源IC，可能使用电容的充放电时间作为定时来设置工作频率，那么测试频率的结果就会与电容精度相关。这时必须要使用LCR数字电桥来测量电容的容值。但在普通退耦电路中，则没有必要测量电容的容值。

有很多IC在实验室阶段需要进行高低温（低温、常温、高温）测试。这些IC有的要求电容必须靠近引脚才能正常工作。这时候，选择电容就必须满足测试的温度范围的要求，否则会影响测试结果。

目前在开关电源IC中，内置MOS器件比较常见，在测试中会有施加高压测量漏电流或者施加指定的电流测量耐压，这些都涉及高压测试。高压测试的电流通常都不大，这时线路中的电容干扰会比较明显，因此需要等待高压稳定之后，才可以测量漏电，或者测量耐压。由于IC封装后无法确定内部的情形，因此，高压测试时，各个引脚连接的电容，必须满足最大的耐压需求，避免IC内部短路造成其他引脚的电容损坏。