1.4 栅与源、漏结的形成技术

本节将介绍MOS集成电路有源区的栅结构，源、漏结，以及作为漏结扩展部分LDD结构的形成工艺。低掺杂漏区（LDD）结构的特点是不会因栅长度的缩短在源、漏端部产生很强的电场，因而能够抑制热载流子的产生。这种对源、漏区的优化设计称为漏区工程。