3.5 AOS TFT

LTPS TFT背板制造需要采用准分子激光晶化和离子注入等工艺，存在制造成本高、大尺寸化困难（＞G6）等问题。虽然已有研究机构一直在开展基于半导体蓝色激光器的晶化技术，以实现G6以上世代线的LTPS TFT背板的制造，但其量产的可行性还有待验证。AOS（非晶氧化物）基于金属离子键的结构，在非晶形态下，能保持高效的载流子输运效率。在较低的成膜温度下（低于350℃）可以制备高迁移率、性能均一性好的TFT器件，对比共价键特征的LTPS TFT器件，能够更好地承受弯曲拉伸产生的应力。在制造工艺上，AOS TFT不需要准分子激光晶化和离子注入等工艺步骤，兼容a-Si：H TFT的量产工艺和设备，更容易实现大尺寸（≥G8）和低成本制造。因此，AOS TFT技术已成为实现大尺寸柔性显示的关键背板技术，并被LG率先用于大尺寸柔性及可卷曲 AMOLED显示屏的量产。AOS TFT 较低的工艺温度，大大降低了工艺过程中的热应力管理的难度，并且可采用耐高温性差的透明PI衬底实现柔性底发光AMOLED显示及透射式的AMLCD显示。对比LTPS TFT，AOS TFT 还具有低漏电流和陡峭亚阈值摆幅的优势。面向柔性显示的应用，虽然AOS TFT展现出较好的机械柔性，但当弯曲应力超过临界值时也会引起沟道层及界面缺陷态密度的增加，影响器件的电学性能和稳定性。为了减小弯曲产生的应力作用，柔性AOS TFT背板的设计可采用类似于LTPS TFT背板中的应力管理策略。面向大规模的量产制造及高分辨率显示（尤其是电流型驱动显示）的应用，AOS TFT需要具备大尺寸制造可控的成膜工艺，并且进一步提高器件的直流/瞬态特性及稳定性，满足高密度像素电路与 GOA 电路集成的需求。