- 硅基射频器件的建模与参数提取
- 张傲 高建军
- 278字
- 2022-05-09 17:43:38
2.4.2 本征等效电路模型
图2.18给出了八边形片上螺旋电感的等效电路模型,虚线框内为本征基本单元,L0表示本征电感,R1表示损耗电阻,电阻R2和电感L1的并联结构用来模拟趋肤效应。基本单元的Y参数可以表示为:
图2.18 八边形片上螺旋电感的等效电路模型
在低频段,电感L0和L1之和可以通过1/Yint的虚部获得:
电阻R1可以由1/Yint的实部确定:
削去R1+jω(L0+L1)后可以得到:
这样电阻R2和电感L1可以由下面的公式直接确定:
这里:
由于本征基本单元在整个模型中占主导地位,而衬底效应模型元件不能直接通过解析式确定,所以需要后续优化。因此上述方法可以被视为一个后续优化过程的最初假设,通过该过程可以得到最终的模型参数。