- 电子技术基础.模电部分
- 杨碧石 戴春风 陆冬明
- 275字
- 2020-08-26 16:15:23
本章关键术语
结型场效应管 JFET 场效应晶体管两种主要形式之一。
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 场效应晶体管两种主要形式之一。
耗尽 depletion 在MOSFET通道中移去或耗尽带电载流子的过程,因此会减低通道的导电性。
增强 enhancement 在MOSFET中,产生沟道或者因为在沟道中增加带电载流子而增加导电性的过程。
夹断电压 pinch-off-voltage 当栅极对源极电压等于零且漏极电流开始变成定电流时的场效应晶体管漏极对源极的电压值。
跨导 transconductance 场效应晶体管中,漏极电流改变量相对于栅极-源极电压改变量的比值。
共源极 common-drain 源极为接地端的FET放大器类型。
共漏极 common-gate 漏极为接地端的FET放大器类型。
共栅极 common-source 栅极为接地端的FET放大器类型。
源极跟随器 source-follower 共漏极放大器。